钯金是世界上稀有的贵金属之一，地壳中的含量约为一亿分之一，比黄金要稀少许多。世界上只要俄罗斯和南非等少量国家出产，每年总产量不到黄金的5‰。比铂金还稀有。钯金反常坚韧，钯金制成的首饰不仅具有铂金般自然天成的诱人光彩，而且经得住年月的磨砺，历久如新。钯金几乎没有杂质，纯度，闪耀着洁白的光芒。钯金的纯度还十分合适肌肤，不会形成皮肤过敏。钯金回收还能再使用。
铟在地壳中的分布量比较小，又很分散。它的富矿还没有发现过，只是在锌和其他一些金属矿中作为杂质存在，因此它被列入稀有金属。 [3]
已知铟矿物有硫铟铜矿（CuInS2）、硫铟铁矿（FeInS4）和水铟矿等。铟主要呈类质同象存在于铁闪锌矿、赤铁矿、方铅矿以及其他多金属硫化物矿石中。此外，锡石、黑钨矿、普通角闪石中也含铟。工业上，铟的主要来源为闪锌矿（含铟0.0001～0.1%），在铅锌矿冶炼过程中作为副产品回收，锡冶炼也回收铟。
其他贵金属废料：钯水、钯银浆、钯盐、钯粉、氯化钯、钯碳催化剂、钯浆等公司秉承“以诚合作、以信经营、互利互赢、价格从优”的经营理念竭诚为你服务，（并对提供信息者*保密重酬*）。砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。
砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。